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幕張ヒューマンケア学部


金子 和


Yawara  Kaneko


職位 准教授
学位 博士(工学) (上智大学)
担当科目 大学入門講座、数学Ⅰ、数学Ⅱ、医用工学概論、電子工学Ⅰ、電子工学演習Ⅰ、電子工学Ⅱ、電子工学演習Ⅱ、計測工学、医用工学実験Ⅱ、卒業研究
専門分野 光電子量子工学、光計測、光記録


研究実績

研究課題 赤色・青色の発光ダイオード・レーザダイオードの研究
光計測の研究、光記録の研究
主な研究業績 【著書】
1. 金子 和、「3章 ホログラフィック記録再生技術」、共同執筆(執筆者7人)『光を操る高分子・光が操る高分子~次世代材料の可能性を探る~』 ㈱エヌ・ティー・エス、平成18年2月
【学術論文】
1. Sohichi Sugiura, Tohru Yoshida, Yawara Kaneko, Katsufusa Shono, D.J.Dumin:
Crystalline properties of multiple BP-Si layers grown on silicon substrate. J.Electronic Materials, vol.13, pp.949-954, 1984.
2. Sohichi Sugiura, Tohru Yoshida, Yawara Kaneko, Katsufusa Shono, D.J.Dumin: MOS integrated circuits fabricated on multiplayer hetero epitaxial Si-insulator structures for applications to 3D integrated circuits. IEEE, Trans. Electron. Devices., vol.ED-32 pp.2307-2313, 1985.
3. Katsumi Kishino, Yawara Kaneko, Akinori Harada: CW operation of 0.67um GaInAsP/AlGaAs laser at 208K grown on GaAs substrates by LPE. Jpn. J. Appl. Phys., vol.24 pp.L358-L360, 1985.
4. Katsumi Kishino, Akinori Harada, Yawara Kaneko: Fabrication and lasing characteristics of 0.67um GaInAsP/AlGaAs visible lasers prepared by liquid phase epitaxy on (100) GaAs substrates. IEEE J. Quantum Electron., vol.QE-23 pp.180-187, 1987.
5. Akihiko Kikuchi, Yawara Kaneko, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino: High-optical-quality GaInP and GaInP/AlInP double heterostructure lasers grown on GaAs substrates by gas-source molecular-beam epitaxy. J. Appl. Phys., vol.66, issue 9 pp.4557-4559, 1989.
6. Yawara Kaneko, Akihiko Kikuchi, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino: Yellow light (576nm) lasing emission of GaInP/AlInP multiple quantum well lasers prepared by gas-source-molecular-beam epitaxy. Electron. Lett., vol.26 pp.657-658, 1990.
7. Akihiko Kikuchi, Yawara Kaneko, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino: Room temperature continuous wave operation of GaInP/AlInP visible-light laser with GaInP/AlInP superlattice confinement layer grown by gas source molecular beam epitaxy. Electron. Lett., vol.26, issue 21 pp.1668-1669, 1990.
8. Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi, Yawara Kaneko, Ichirou Nomura: Enhanced carrier confinement effect by the multi quantum barrier in 660nm GaInP/AlInP visible laers. Appl. Phys. Lett., vol.58, No.17 pp.1822-1824, 1991.
9. Akihiko Kikuchi, Kishino Katsumi, Yawara Kaneko: Low (2.0kA/cm2) threshold current density operation of 629nm GaInP/AlInP multiple quantum well lasers grown by gas source molecular beam epitaxy on 15 off (100) GaAs substrates.
Electron. Lett., vol.27, No.14 pp.1301-1302, 1991.
10. Akihiko Kikuchi, Katsumi Kishino, Yawara Kaneko: 600nm-range GaInP/AlInP multi-quantum well (MQW) lasers grown on misorientation substrates by gas source molecular beam epitaxy (GS-MBE). Japan. J. Appl. Phys., vol.30, No.12B pp.3865-3872, Dec. 1991.
11. D.H.Jan, Yawara Kaneko, Katsumi Kishino: Shortest wavelength (607nm) operations of GaInP/AlInP distributed bragg reflector (DBR) lasers. Electron. Lett., vol.28, No.4 pp.428-430, Feb. 1992.
12. Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Yawara Kaneko: Strained single quantum well (SSQW) GaInP/AlInP visible lasers fabricated by novel shutter control method in gas source molecular beam epitaxy. Electron. Lett., vol.28, No.9 pp.851-852, March 1992.
13. Yawara Kaneko, Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi: 600-nm wavelength range GaInP/AlInP quasi-quaternary compounds and lasers prepared by Gas-source molecular–beam epitaxy. J. Appl. Phys., pp.819-824, July 1993.
14. Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi, Ichirou Nomura, Yawara Kaneko: Gas source molecular beam epitaxial growth and characterization of 600-660nm GaInP/AlInP double hetero structure lasers. Thin Solid Films, vol. 231, issues 1-2 pp.173-189, 1993.
15. Ichirou Nomura, Katsumi Kishino, Akihiko Kikuchi, Yawara Kaneko: 600nm range GaInP/AlInP strained quantum well lasers grown by gas source molecular beam epitaxy. J. Appl. Phys., Vol.33 pp.804-810, 1994.
16. Yawara Kaneko, Katsumi Kishino: Refractive indices measurement of (GaInP)m/(AlInP)n quasi‐quaternaries and GaInP/AlInP multiple quantum wells. J. Appl. Phys., Vol.76, No.3 pp.1809-1818, 1994.
17. Yawara Kaneko, Norihide Yamada, Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano, Isamu Akasaki: Meltback etching of GaN. Solid-State Electronics, Vol. 41, No. 2, pp.295-298, 1997.
18. T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, M. Yamaguchi, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko, N. Yamada Improvement of far-field pattern in nitride laser diodes. Appl. Phys. Lett. 75 2960, 1999.
19. T. Takeuchi, T. Detchprohm, M. Iwaya, N. Hayashi, K. Isomura, K. Kimura, M. Yamaguchi, S. Yamaguchi, C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, Yw. Kaneko, R. Shioda, S. Watanabe, T. Hidaka, Y. Yamaoka, Ys. Kaneko, and N. Yamada: Nitride-based laser diodes using thick n-AlGaN layers. J. Electron. Mat. Volume 29, Issue 3, pp 302–305, March 2000.
20. R.L.Jungerman, G.Lee, O.Buccafusca, Y.Kaneko, N.Itagaki, R.Shioda, A.Harada, Y.Nihei, G.Sucha: 1-THz Bandwidth C- and L- Band Optical Smpling With A Bit Rate Agile Timebase. IEEE Photon. Technol. Lett., vol.14, No.8, pp.1148-1150, 2002.

                    研究概要

 臨床工学分野では、パルスオキシメータの高性能化、無線光通信化、省電力化、小型軽量化を研究しています。
センサヘッドの多くは発光素子と受光素子とを指先を挟む形で対向させて配置する透過形です。本研究では、NICUの新生児の足裏への装着を目的とし、発光素子と受光素子を同じ側の同一回路基板上に配置する反射形を採用し、簡素化します。光は発光素子→封止樹脂→空気→皮膚→血管壁→血液→血管壁→皮膚→空気→封止樹脂→受光素子の経路を通り、血液の赤色光と赤外光の吸収差によって酸素飽和度が計測されます。光の経路(光学系)の反射散乱ノイズを最小限に抑えて高性能化します。
センサヘッドと中央監視モニタの間のデータ転送には、発光素子と受光素子をボタン電池で駆動する無線光通信を採用し、システムの小型軽量化と省電力化を図ります。医療用テレメータで規定される電波通信を用いると、単三電池の電力と15cm程度の送受信アンテナ長を要します。
主な研究テーマ
1.シリコン半導体素子の研究 (学術論文番号 1-2)
2.光半導体素子(レーザダイオード・LED)の研究 (学術論文番号 3-19)
3.光電子計測の研究 (学術論文番号 20)
4.光ホログラム記録の研究 (著書番号 1)

所属学会

日本光学会

メッセージ

本学で学ぶ学生の皆さんへ
本学の建学の精神、本学の使命と目的を読み解き、本学で学ぶ事の意義を自分の将来像に投影し、有意義な学生生活を過ごしてください。
臨床工学技士を目指す方、興味がある皆さんへ
臨床工学技士は、医師や看護師とは違う専門性を求められる職業です。毎日、毎日、新しい知識と技能を身に着け、毎日、毎日、昨日とは違う自分になっていくワクワク感を楽しんでください。卒業後は、医療の進歩の要求に応え、臨床工学の分野をますます発展させていく人になってください。